1. 靜電放電

    靜電放電被定義為由直接接觸或由靜電場(chǎng)感應(yīng)引起的不同靜電電位的物體之間的靜電荷轉(zhuǎn)移。

    通常的 ESD 包括從電容性物品釋放存儲(chǔ)的電荷，最基本形式的電容性物品是人體。其他典型的電荷存儲(chǔ)體包括底盤、衣服、椅子等。大多數(shù) ESD 故障發(fā)生在人類對(duì)大約 4000 V 開始的靜電放電的感覺之下。然而，大多數(shù)集成電路和許多分立部件在低于 4000 V 的閾值下發(fā)生故障。除了在極其干燥的大氣條件下，靜電放電的感覺很少發(fā)生。

    典型的敏感性水平：

    2. ESD 和 EOS（電氣過載）：

    ESD 以外的電氣過應(yīng)力 (EOS) 故障通常持續(xù)時(shí)間較長，通常大于 50 毫秒。典型的 EOS 電源為 230 VAC、50 Hz，對(duì)直流或交流電位的意外短路超過柵極氧化層擊穿或不同持續(xù)時(shí)間的系統(tǒng)瞬變。在這些情況下，加熱的持續(xù)時(shí)間通常比典型的 ESD 暴露期間更長，從而導(dǎo)致更廣泛的損壞。通常，EOS 瞬變比 ESD 瞬變持續(xù)時(shí)間更長。此外，EOS 引起的故障可能是正向或反向偏置。正向偏置 EOS 通常由高電流的結(jié)果損壞證明，例如內(nèi)部連接的熔化和/汽化。例如，TTL 輸入門暴露于 14V 電壓達(dá) 200 毫秒，峰值電流為 500 mA，導(dǎo)致內(nèi)部連接的高電流熔化。

    ESD 造成的最普遍的結(jié)損壞發(fā)生在反向偏置條件下，并由降級(jí)的 IV 特性證明。退化可以是從幾乎可以忽略不計(jì)的曲線偏移到短路。除了最嚴(yán)重的情況外，通過顯微鏡檢查芯片表面，物理損壞是不可見的。

    3. 表面電阻率：

    對(duì)于表面，電阻與寬度 W 成比例地減小，并與長度 l 成比例地增大。

    電阻率，R 由下式給出

    R=kl/W

    其中 k 是比例常數(shù)。

    在正方形的情況下，其中 l = W，方程簡(jiǎn)化為

    R=k

    從等式可以看出，如果l=W，則l和W的大小無關(guān)緊要，因此正方形的大小無關(guān)緊要。換句話說，

    rs= 表面電阻率 =k = l = W 時(shí)的電阻

    根據(jù)表面電阻率對(duì)材料進(jìn)行分類的術(shù)語目前定義如下：

    導(dǎo)電：<= 10 5per square

    靜電耗散：10 5 to 10 9W

    抗靜電：10 9 to 10 14W per square

    絕緣：> 10 14 W per square

    但是，以上僅是指示性的，如有必要，可以根據(jù)個(gè)人要求定制限制。

    濕度的影響：

    較高的濕度會(huì)根據(jù)材料不同程度地增加材料的水分含量。這種增加的水分含量會(huì)降低電阻率。